标准双温区中温蒸发源 您当前的位置: 首页 > 产品中心 > 薄膜制备 > 部件产品 > 蒸发源 > 标准双温区中温蒸发源

产品概述 Product Overview

标准双温区中温蒸发源的最大工作温可达1400℃。蒸发源内部采用独特的加热丝设计,每个加热丝均由PBN环支撑,可确保坩埚受热均匀,同时有更好的使用稳定性和更长的使用寿命。中间采用多层线接触式钽筒隔热,大大降低了热辐射损失,提高了热量利用率,使其在较低的功率下即可达到较高的工作温度。蒸发源水冷系统采用独立水冷套设计,屏蔽了高温加热区域对腔体内壁的辐射,可有效减少腔壁放气,为样品生长提供了更好的真空条件,同时提高了温度测量精度。
标准双温区中温蒸发源设计用于在300°C至1400°C的温度范围内蒸发或升华各种元素和化合物,例如典型的III-V MBE材料(例如Al,Ga或In)。


规格说明 Specification

● 加热系统: 辐射加热,带有PBN支撑片的钽加热丝

● 温度稳定性:≤±0.1℃,取决于PID温控器

● 超高真空兼容,极限真空量级10-11mbar

● 独立水冷模块

● 挡板:可选材质挡片(钽,PBN等)


炉源型号 E63MT60DF E63MT80DF E100MT150DF E125MT300DF E150MT700DF
坩埚容量
60cc 80cc 150cc 300cc 700cc
坩埚材质 PBN
加热丝数量 2
加热丝材质
热点偶类型 W5%Re / W26%Re(C型)
安装法兰 DN63CF DN63CF DN100CF DN125CF DN150CF
温度范围 300~1400℃
上温区最高除气温度 1300℃
下温区最高除气温度 1400℃
温度稳定性 ±0.1℃
烘烤温度 250℃















测试曲线图 Test Curve

——————    E63MT80DF温度功率曲线    —————— —   E63MT80DF上温区1280℃和下温区1260℃时在衬底位置束流分布  —


—   E63MT80DF上温区1280℃和下温区1260℃时锗薄膜沉积曲线   —





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