DP系列掺杂源通常适用于Si，Be，GaTe等材料，可实现MBE系统中相对小束流的稳定控制和均匀精确掺杂。DP掺杂源紧凑的结构及较小的热质量，使其束流响应快速，重复性高，稳定性好，可以获得良好的掺杂曲线。锥形坩埚有助于在少量源材料及温度较低的情况下实现高浓度掺杂，并确保掺杂均匀性。
| ● 超高真空兼容 | ● 内部采用独特的加热丝设计，可确保坩埚受热均匀 | ● 多层线接触式隔热钽筒，大幅降低热辐射损失 |
| ● 温度稳定性优于±0.2℃ | ● 配备独立水冷套，蒸发源与水冷套可单独拆卸 |
| 蒸发源型号 | DP22 | DP25 | DP65 | DP220 | |
| 坩埚容积 (cc) | 22 | 25 | 65 | 220 | |
| 安装法兰尺寸 | CF35 | CF63 | CF100 | CF150 | |
| 总长度 (mm) | 410 | 472.2 | 533.5 | 592 | |
| 真空内长度 (mm) | 282.6 | 325.2 | 380 | 460 | |
| 真空内外径 (mm) | 33.3 | 51.8 | 77.8 | 103 | |
坩埚尺寸 (mm) | 口部外径 | 32.8 | 51 | 77 | 102 |
| 口部内径 | 19.9 | 34 | 52.3 | 74.5 | |
| 高度 | 89.7 | 54.2 | 69 | 105 | |
| 坩埚材质 | PBN | ||||
| 坩埚形状 | 锥形坩埚 | ||||
| 加热方式 | 辐射加热，PBN支撑钽片 | ||||
| 热电偶 | C型/W-Re 5%-26% | ||||
| 温度稳定性 | ≤±0.2℃ | ||||
| 工作温度 | 300-1350℃ | ||||
| 最高除气温度 | 1350℃ | ||||
| 烘烤温度 | 250℃ | ||||
| 订购编码 | 3205010068 | 3205010054 | 3205010030 | 3205010169 | |
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